[发明专利]一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法

摘要

本发明公开了一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，将待测样品分别在酒精和去离子水中超声清洗后采用惰性气体烘干，然后将烘干后的待测样品放置于真空室内，利用惰性气体填充真空室使真空室内气压维持至1.4×10‑4‑1.8×10‑4Pa；利用离子枪进行离子清洗，离子能量为900‑1000eV，离子枪发射电流为9‑11mA，离子清洗时间为10min至30min；离子清洗完成后，关闭离子枪电源，利用惰性气体充斥至少30min，完成利用惰性离子清洗降低二次电子发射系数，本发明可最大程度去除表面污染，并还原样品原有的表面状态，从而大幅降低二次电子发射系数，本发明能够在需要降低二次电子发射的领域中，以及希望获得平滑表面及准确二次电子发射特性的应用中，应当选取适当的离子清洗强度，避免过强离子清洗。