[发明专利]一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法

权利要求书

1.一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1)、将待测样品分别在酒精和去离子水中超声清洗后采用惰性气体烘干；

步骤2)、将烘干后的待测样品放置于真空室内，利用惰性气体填充真空室使真空室内气压维持至1.4×10^-4-1.8×10^-4Pa；

步骤3)、利用离子枪进行离子清洗，离子能量为900-1000eV，离子枪发射电流为9-11mA，离子清洗时间为10min至30min；

步骤4)、离子清洗完成后，关闭离子枪电源，利用惰性气体充斥至少30min，然后在290-310℃下加热1.5-2.5h，即可完成利用惰性离子清洗降低二次电子发射系数。

2.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，待测样品分别在酒精和去离子水中超声清洗至少15min。

3.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，惰性气体采用氮气或氩气。

4.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，将烘干后的待测样品固定在样品托上并依次从进样室传送至主真空室中，并确保离子束可以照射在样品上。

5.根据权利要求4所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，采用二次电子发射系数测量设备中的扫描电子显微镜将待测样品定位在可视区为离子清洗的最佳位置。

6.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，所述待测样品为金属箔片或块料。

7.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，离子能量为1000eV。

8.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，离子枪发射电流为10mA。

9.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，离子清洗时间为10min。

10.根据权利要求1所述的一种惰性离子清洗及热处理降低二次电子发射系数的方法，其特征在于，步骤4)中，在300℃下加热2h，即可完成利用惰性离子清洗降低二次电子发射系数。