[发明专利]双面电容结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202010123241.0 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113314669B | 公开（公告）日： | 2022-06-10 |
| 发明（设计）人： | 陆勇 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;陈丽丽 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤：提供一基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、以及贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的电容孔，所述叠层结构包括沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠的牺牲层和支撑层；依次形成第一电极层、第一电介质层和第二电极层于所述电容孔的内壁；填充第一导电材料于所述电容孔内，形成第一导电填充层；完全去除若干层牺牲层和/或支撑层，使得至少残留两层支撑层；形成第二电介质层、以及覆盖与所述第二电介质层表面的第三电极层。本发明减少甚至是避免了电极坍塌和倾覆的风险，同时有助于增大电容器的电容值。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 电容 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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