[发明专利]半导体结构及半导体结构的形成方法在审
| 申请号： | 202010118576.3 | 申请日： | 2020-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314605A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及半导体结构的形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底上具有源漏掺杂层；在源漏掺杂层上形成沟道柱；在沟道柱侧壁表面和顶部表面形成功函数层；在源漏掺杂层上形成第一隔离层，所述第一隔离层位于所述功函数层部分侧壁表面，且所述第一隔离层的顶部表面低于所述沟道柱顶部表面；在功函数层表面和第一隔离层表面形成栅极层。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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