[发明专利]MEMS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202010116922.4 | 申请日： | 2020-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN111285326B | 公开（公告）日： | 2023-08-25 |
| 发明（设计）人： | 王红海;刘国安 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS器件及其制造方法，通过在衬底上形成第一低应力氧化层、等离子体增强氧化层和第二低应力氧化层依次堆叠而成三明治结构，来替代现有技术中单一的LPTEOS结构或PETEOS结构，一方面可以避免LPTEOS沉积厚度无法达到MEMS器件制造要求，另一方面可以避免牺牲介质层应力大而导致上电极层应力过大以及严重变形的问题，更重要的是，可以避免去除牺牲介质层时释放大量应力，进而避免因去除牺牲介质层而导致上电极层严重变形以及具有该上电极层的电容结构严重变形的问题。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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