[发明专利]MEMS器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成牺牲介质层，所述牺牲介质层包括自下而上依次堆叠的第一低应力氧化层、具有平坦的上表面的等离子体增强氧化层和第二低应力氧化层，且所述第一低应力氧化层和所述第二低应力氧化层的应力均小于所述等离子体增强氧化层并相互均衡所述牺牲介质层的内部压力；

在所述第二低应力氧化层上形成上电极层，并图案化所述上电极层以形成暴露出所述第二低应力氧化层的释放孔；

经所述释放孔去除相应的所述牺牲介质层，以形成气隙；

其中，在形成所述上电极层的过程中，所述牺牲介质层的应力用于降低所述上电极层中的应力，在去除相应的所述牺牲介质层的过程中，所述牺牲介质层释放的应力使得所述上电极层在各区域内的顶面基本齐平。

2.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述衬底上形成所述牺牲介质层之前，先在所述衬底上形成下电极层。

3.如权利要求2所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述第二低应力氧化层形成所述上电极层之前，还刻蚀所述牺牲介质层，以形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露出所述衬底的上表面，所述第二开口暴露出所述下电极层的上表面。

4.如权利要求3所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，在所述第二低应力氧化层形成上电极层之后，所述上电极层还填充在所述第一开口和所述第二开口中；或者，在形成所述上电极层之前，先形成填充于所述第一开口和所述第二开口中的支撑柱。

5.如权利要求2至4中任一项所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，还包括：在所述衬底上形成所述下电极层之前，在所述衬底上形成介电材料层；以及，在所述第二低应力氧化层形成所述上电极层之前，还刻蚀所述牺牲介质层形成第三开口，所述第三开口暴露出所述介电材料层的上表面。

6.如权利要求5所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，在所述第二低应力氧化层形成上电极层之后，所述上电极层还填充在所述第三开口中；或者，在形成所述上电极层之前，先形成填充于所述第三开口中的支撑柱。

7.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述第一低应力氧化层和所述第二低应力氧化层均通过采用包括正硅酸乙脂或者硅烷的含硅材料进行低压化学气相沉积工艺形成；所述等离子体增强氧化层通过采用包括正硅酸乙脂或者硅烷的含硅材料进行等离子增强化学气相沉积工艺形成。

8.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，采用气相刻蚀剂通入所述释放孔中，以去除相应的所述牺牲介质层。

9.一种MEMS器件，其特征在于，采用权利要求1~8中任一项所述的MEMS器件的制造方法形成，所述MEMS器件包括：

衬底；

上电极层，形成在所述衬底的上方，且所述上电极层和所述衬底之间形成有气隙。

10.如权利要求9所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件还包括形成在所述衬底和所述上电极层之间的下电极层；其中，一部分上电极层和所述衬底以及所述下电极层之间均有气隙，另一部分所述上电极层与所述下电极层相接触，再一部分所述上电极层与所述衬底相接触，又一部分所述上电极层和所述衬底之间还夹有牺牲介质层，所述牺牲介质层包括自下而上依次堆叠的第一低应力氧化层、等离子体增强氧化层和第二低应力氧化层，且所述第一低应力氧化层和所述第二低应力氧化层的应力均小于所述等离子体增强氧化层。