[发明专利]由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡在审
| 申请号： | 202010106388.9 | 申请日： | 2020-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299333A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 林光明;钱晓州;皮小燕;V·蒂瓦里;P·丁 | 申请（专利权）人： | 硅存储技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈斌 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明题为“由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡”。本发明涉及用于在模拟EEPROM的闪存装置中实现损耗均衡的系统和方法。实施方案利用索引阵列，该索引阵列存储仿真EEPROM中的每个逻辑地址的索引字。每个索引字中的每一位都与仿真EEPROM中的物理字的物理地址相关联，并且索引字跟踪哪个物理字是特定逻辑地址的当前字。使用索引字可实现损耗均衡算法，该算法允许对逻辑地址的编程命令，这导致：(i)如果存储在当前字中的数据不包含与要存储的数据中的“0”相对应的“1”，则跳过编程操作，(ii)在某些情况下对当前字的一个或多个位进行重编程，或者(iii)在某些情况下转移到下一个物理字并对其进行编程。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 单元 构成 eeprom 仿真器 中的 损耗 均衡 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于硅存储技术股份有限公司，未经硅存储技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010106388.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
