[发明专利]由闪存单元构成的EEPROM仿真器中的损耗均衡

权利要求书

1.一种具有损耗均衡的EEPROM仿真系统，包括：

EEPROM仿真阵列，其包括非易失性存储器单元阵列；和

损耗均衡模块，其耦合到所述非易失性存储器单元阵列，并被配置为：

接收编程命令、写入数据和逻辑地址；

基于所述逻辑地址和索引位读取当前字，其中所述当前字位于所述非易失性存储器单元阵列中的非易失性存储器单元的物理字的扇区中，字的所述扇区对应于所述逻辑地址，并且包括第一物理字、最后物理字以及所述第一物理字和所述最后物理字之间的一个或多个物理字；

当所述写入数据对于所述当前字中为“1”的位不包含“0”时，跳过所述编程操作；

当所述写入数据对于所述当前字中为“1”的位包含“0”，并且所述当前字是所述扇区中的所述最后物理字时，将所述写入数据编程到所述当前字中；以及

当所述写入数据对于所述当前字中为“1”的位包含“0”，并且所述当前字不是所述扇区中的所述最后物理字时，将所述写入数据编程到所述下一个字中。

2.根据权利要求1所述的系统，其中所述索引位是索引字中的位。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述索引字包括一组位，其中所述索引字中的每个位对应于所述阵列中的物理字。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述索引字中的每一位指示所述阵列中的对应物理字是否被使用。

5.根据权利要求1所述的系统，其中所述扇区包括所述非易失性存储器单元阵列中的两行非易失性存储器单元。

6.根据权利要求1所述的系统，其中每个所述非易失性存储器单元包括位线端子、源极线端子、字线端子和浮栅。

7.根据权利要求6所述的系统，其中每个所述非易失性存储器单元还包括控制栅。

8.根据权利要求7所述的系统，其中每个所述非易失性存储器单元还包括擦除栅。

9.一种具有损耗均衡的EEPROM仿真系统，包括：

EEPROM仿真阵列，其包括非易失性存储器单元阵列；和

损耗均衡模块，其耦合到所述非易失性存储器单元阵列，并被配置为：

接收擦除命令和逻辑地址，所述逻辑地址对应于所述非易失性存储器单元阵列中的非易失性存储器单元的物理字的扇区，所述扇区包括第一物理字、最后物理字以及所述第一物理字和所述最后物理字之间的一个或多个物理字；

当由索引位标识的当前字是所述扇区中的所述最后物理字时，擦除所述扇区；以及

当所述当前字不是所述扇区中的所述最后物理字时，改变下一个索引位。

10.根据权利要求9所述的系统，其中所述索引位是索引字中的位。

11.根据权利要求10所述的系统，其中所述索引字包括一组位，其中所述索引字中的每个位对应于所述阵列中的物理字。

12.根据权利要求11所述的系统，其中所述索引字中的每一位指示所述阵列中的对应物理字是否被使用。

13.根据权利要求12所述的系统，其中改变所述索引字中的下一位的步骤包括针对对应于所述下一个字的位位置将“0”编程到所述索引字中。

14.根据权利要求9所述的系统，其中所述扇区包括所述非易失性存储器单元阵列中的两行非易失性存储器单元。

15.根据权利要求9所述的系统，其中每个所述非易失性存储器单元包括位线端子、源极线端子、字线端子和浮栅。

16.根据权利要求15所述的系统，其中每个所述非易失性存储器单元还包括控制栅。

17.根据权利要求16所述的系统，其中每个所述非易失性存储器单元还包括擦除栅。