[发明专利]一种溶胶-凝胶法制备大晶粒CZTS吸收层的方法在审
| 申请号： | 202010101827.7 | 申请日： | 2020-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN111293182A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 郝瑞亭;李晓明;郭杰;顾康;王云鹏;方水柳;刘慧敏;刘斌;王璐;孙帅辉 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京苏创专利代理事务所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 高丽 |
| 地址： | 650500 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种溶胶‑凝胶法制备大晶粒CZTS吸收层的方法，属于薄膜太阳电池领域。本发明通过旋涂5次制备第一前驱体薄膜，通过一次硫化，先得到较薄的第一吸收层，然后，在此基础上再旋涂5次制备第二前驱体薄膜，通过二次硫化，最终得到完整的大晶粒CZTS吸收层薄膜。结果表明，两次硫化所得薄膜结晶性好，表面致密连续，并且形成了从底部到顶部完整的大晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 溶胶 凝胶 法制 晶粒 czts 吸收 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
