[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202010093348.5 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN112510047B | 公开（公告）日： | 2023-09-05 |
| 发明（设计）人： | 窪田吉孝;小玉枝梨华 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/40 | 分类号： | H10B43/40;H10B41/30;H10B41/40;H10B43/30;G11C5/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的半导体存储装置具备具有排列在第1方向的第1区域及第2区域的衬底。第1区域具备：多个第1字线层及第1层间绝缘层，积层在与衬底的表面交叉的第2方向；第1半导体层，与多个第1字线层对向；及第1电荷储存膜，设置在这些层之间。第2区域具备：多个第1字线层及第1层间绝缘层的一部分，积层在第2方向；多个第1绝缘层及第1层间绝缘层的一部分，在第3方向上与多个第1字线层相隔，积层在第2方向；第1触点，在第2方向延伸，具有连接于多个第1绝缘层的外周面；及第2绝缘层，设置在多个第1字线层及第1绝缘层之间。多个第1绝缘层的第1方向的侧面连接于多个第1字线层，多个第1绝缘层的第3方向的侧面连接于第2绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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