[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号: | 202010093235.5 | 申请日: | 2020-02-14 |
| 公开(公告)号: | CN112447551A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
| 发明(设计)人: | 饭森弘恭 | 申请(专利权)人: | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/66;G01B11/02;G01B11/16 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 实施方式涉及一种半导体制造装置及半导体装置的制造方法。实施方式的半导体制造装置包括:载台,具有多个销,用于保持半导体衬底,所述半导体衬底具有形成了蚀刻对象膜的第1面、及位于第1面相反侧的第2面;喷嘴,从载台的上方向半导体衬底的第1面喷出化学药品;以及光测量部,在化学药品的喷出过程中,从载台侧向半导体衬底的第2面照射光,并基于被第2面反射的光的受光状态来测量半导体衬底的移位量。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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