[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202010093235.5 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN112447551A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 饭森弘恭 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;G01B11/02;G01B11/16 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 方法 | ||
1.一种半导体制造装置，包括：
载台，具有多个销，用于保持半导体衬底，所述半导体衬底具有形成了蚀刻对象膜的第1面、及位于所述第1面相反侧的第2面；
喷嘴，从所述载台的上方向所述半导体衬底的所述第1面喷出化学药品；以及
光测量器，在所述化学药品的喷出过程中，从所述载台侧向所述半导体衬底的所述第2面照射光，并基于被所述第2面反射的光的受光状态，来测量所述半导体衬底的移位量。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
还包括控制部，所述控制部基于所述光测量器的测量结果，控制所述喷嘴。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置，其中，
所述控制部基于所述光测量器的测量结果，变更所述膜的蚀刻条件。
4.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
所述载台的形状是环状，
所述光测量器配置在所述环状的开口部内。
5.根据权利要求1所述的半导体制造装置，其中，
所述载台具有向所述半导体衬底的外周部释放惰性气体的通气孔。
6.一种半导体装置的制造方法，包括：
载台上设置的多个销保持半导体衬底，所述半导体衬底具有形成了蚀刻对象膜的第1面、及位于所述第1面相反侧的第2面，
从所述载台的上方向所述半导体衬底的所述第1面喷出化学药品，
在所述化学药品的喷出过程中，从所述载台侧向所述半导体衬底的所述第2面照射光，并基于被所述第2面反射的光的受光状态来测量所述半导体衬底的移位量。
7.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
基于所述半导体衬底的所述移位量，来控制所述化学药品的喷出。
8.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
基于所述半导体衬底的所述移位量，来变更所述膜的蚀刻条件。
9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述载台的形状是环状，
配置在所述环状的开口部内的光测量器测量所述半导体衬底的移位量。
10.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中，
在所述化学药品的喷出过程中，从所述载台上设置的通气孔向所述半导体衬底的外周部释放惰性气体。
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