[发明专利]一种质子致单粒子翻转软错误率的获取方法有效
| 申请号： | 202010088378.7 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111310332B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 池雅庆;梁斌;陈建军;郭阳;袁珩洲;刘必慰;宋睿强;吴振宇 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G01R31/28;G01R31/3181 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，为：选取不同能量的质子对被测集成电路进行质子单粒子翻转辐照试验，测得被测集成电路在上述各能量质子辐照下质子直接电离和间接电离致单粒子翻转效应的单粒子翻转截面；拟合直接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数并得到软错误率e1、e2；拟合间接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数并得到软错误率e3；计算被测集成电路整体的质子致单粒子翻转软错误率e＝e1‑e2+e3。本发明具有原理简单、易实现、精度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质子 粒子 翻转 错误率 获取 方法 | ||
【主权项】：
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