[发明专利]一种质子致单粒子翻转软错误率的获取方法有效
| 申请号： | 202010088378.7 | 申请日： | 2020-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN111310332B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 池雅庆;梁斌;陈建军;郭阳;袁珩洲;刘必慰;宋睿强;吴振宇 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G01R31/28;G01R31/3181 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410073 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 质子 粒子 翻转 错误率 获取 方法 | ||
1.一种质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，选取不同能量的质子对被测集成电路进行质子单粒子翻转辐照试验，测得被测集成电路在上述各能量质子辐照下质子直接电离和间接电离致单粒子翻转效应的单粒子翻转截面；拟合直接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数并得到软错误率e1、e2；拟合间接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数并得到软错误率e3；计算被测集成电路整体的质子致单粒子翻转软错误率e＝e1-e2+e3。
2.根据权利要求1所述的质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，在质子直接电离测试时，进行选取能量在10MeV以下的、不少于5种能量的质子对被测集成电路进行质子单粒子翻转辐照试验。
3.根据权利要求1所述的质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，在质子间接电离测试时，选取能量在10MeV至500MeV的、不少于3种不同能量的质子对被测集成电路进行质子单粒子翻转辐照试验。
4.根据权利要求1或2或3所述的质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，采用函数Weibull1(x)-Weibull2(x)拟合直接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数A1、x1、w1、s1、x2、w2和s2。
5.根据权利要求4所述的质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，x为质子能量，采用以下公式进行拟合：
6.根据权利要求1或2或3所述的质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，采用函数Weibull3(x)拟合上述间接电离获得的单粒子翻转截面与质子能量关系数据点，获得拟合参数A3、x3、w3和s3。
7.根据权利要求6所述的质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，x为质子能量，采用以下公式进行拟合：
8.根据权利要求7所述的质子致单粒子翻转软错误率的获取方法，其特征在于，将被测集成电路存储位数和函数Weibull1(x)的拟合参数A1、x1、w1和s1输入CREME96软错误率计算软件，计算出软错误率e1；将被测集成电路存储位数和函数Weibull2(x)的拟合参数A1、x2、w2和s2输入CREME96软错误率计算软件，计算出软错误率e2；将被测集成电路存储位数和函数Weibull3(x)的拟合参数A3、x3、w3和s3输入CREME96软错误率计算软件，计算出软错误率e3。
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