[发明专利]一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法有效
| 申请号: | 202010062654.2 | 申请日: | 2020-01-20 | 
| 公开(公告)号: | CN111244197B | 公开(公告)日: | 2022-03-01 | 
| 发明(设计)人: | 张毅;吴建宇;申展;敖建平;刘玮 | 申请(专利权)人: | 南开大学 | 
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 | 
| 代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 王闯 | 
| 地址: | 300110*** | 国省代码: | 天津;12 | 
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| 摘要: | 
                            本发明提供一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法,该铜基薄膜太阳电池正电极的制备方法,包括:在衬底上制备Mo金属电极;使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极,获得铜基薄膜太阳电池正电极。本发明中使用磷酸铵溶液处理Mo金属电极,NH | 
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| 搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳电池 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
                暂无信息
            
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                    H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
                
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