[发明专利]一种铜基薄膜太阳电池正电极及其制备方法

权利要求书

1.一种铜基薄膜太阳电池正电极的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上制备Mo金属电极；

使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极，获得铜基薄膜太阳电池正电极；

所述磷酸铵溶液的浓度为1mmol/L～1mol/L。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，使用磷酸铵溶液处理所述Mo金属电极后还需要干燥所述Mo金属电极。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜基薄膜太阳电池正电极的厚度为0～2μm，且不为0μm。

4.一种铜基薄膜太阳电池正电极，其特征在于，由权利要求1～3任一项所述的制备方法制备得到。

5.一种铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述铜基薄膜太阳电池的正电极为权利要求4所述的铜基薄膜太阳电池正电极。

6.根据权利要求5所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、正电极、光吸收层、缓冲层、窗口层和顶电极。

7.根据权利要求6所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述光吸收层包括具有M1、M2、X及其组合的化合物，其中，M1是铜(Cu)、银(Ag)或其组合，M2是铟(In)、镓(Ga)、铝(Al)、锌(Zn)、锗(Ge)、锡(Sn)或其组合，并且X是硒(Se)、硫(S)或其组合。

8.根据权利要求6所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述缓冲层的材料为CdS、ZnS、(Cd,Zn)S、Zn(O,S)或In₂S₃。

9.根据权利要求6所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述窗口层包括依次层叠设置的本征氧化锌层和掺杂氧化锌层。

10.根据权利要求6所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述顶电极的材料为铝或镍铝合金。

11.根据权利要求7所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述光吸收层的厚度为0.4～3μm。

12.根据权利要求8所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述缓冲层的厚度为30～100nm。

13.根据权利要求9所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述本征氧化锌层的厚度为30～150nm；

所述掺杂氧化锌的厚度为300～1500nm。

14.根据权利要求10所述的铜基薄膜太阳电池，其特征在于，所述顶电极的厚度为0.5～4μm。

15.一种铜基薄膜太阳电池的制备方法，其特征在于，包括：

根据权利要求1～3任一项所述的制备方法制备铜基薄膜太阳电池的正电极；

在所述正电极上形成光吸收层；

在所述光吸收层上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成窗口层；

在所述窗口层上形成顶电极。