[发明专利]一种电子器件表面处理方法有效
| 申请号： | 202010061425.9 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111261515B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄亚敏;董业民;陈晓杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/66;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及微纳尺度材料样品制备技术领域，特别涉及一种电子器件表面处理方法。所述电子器件包括衬底层和设在所述衬底层上的器件结构层，所述器件结构层内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层；所述处理方法包括：对所述器件结构层减薄，使所述金属材料层裸露在所述器件结构层表面，得到第一处理产物；对所述第一处理产物刻蚀，得到第二处理产物。本申请实施例所述的电子器件表面处理方法，通过对器件结构层减薄，使内部的金属材料层裸露出器件结构，然后再刻蚀除去金属材料层，为后续的三维原子探针技术表征分析提供保证，提高三维原子探针技术样品分析的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电子器件 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
