[发明专利]一种电子器件表面处理方法有效
| 申请号： | 202010061425.9 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111261515B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄亚敏;董业民;陈晓杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/66;G01Q30/20 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子器件 表面 处理 方法 | ||
1.一种电子器件表面处理方法，其特征在于，所述电子器件表面处理方法用于三维原子探针技术制样过程中对电子器件的表面处理；所述电子器件包括衬底层(10)和设在所述衬底层(10)上的器件结构层(20)，所述器件结构层(20)内设有导通层和栅介质层，所述导通层和所述栅介质层内均设有金属材料层(23)；
所述处理方法包括：
对所述器件结构层(20)减薄，使所述金属材料层(23)裸露在所述器件结构层(20)表面，得到第一处理产物；
对所述第一处理产物刻蚀去除所述金属材料层(23)，得到第二处理产物；
在第二处理产物的表面沉积保护层(40)，所述保护层(40)远离所述衬底层(10)设置；
对所述第一处理产物刻蚀采用的刻蚀方法为化学刻蚀法；所述刻蚀方法包括：
将刻蚀溶液加热至预设温度；
将所述第一处理产物放入所述刻蚀溶液中；
将所述刻蚀溶液保温预设时长。
2.根据权利要求1所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，所述金属材料层(23)为钨金属材料层(23)。
3.根据权利要求1所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，所述刻蚀溶液为过氧化氢溶液。
4.根据权利要求1所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，所述保护层(40)的材质为非金属化合物。
5.根据权利要求4所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，所述保护层(40)的材质为金属化合物。
6.根据权利要求4或5所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，沉积所述保护层(40)采用的方法为化学气相沉积法或物理气相沉积法。
7.根据权利要求6所述的电子器件表面处理方法，其特征在于，所述保护层(40)的厚度为10nm-10000nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
