[发明专利]异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010060088.1 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111244188B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 孙浩;刘莉;李彩艳;张祁莲;高一强;钱蓉;孙晓玮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/267;H01L21/329 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;贾允 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： |
本申请提供一种异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法，该二极管包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al |
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| 搜索关键词： | 异质结 algaas gaas 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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