[发明专利]异质结AlGaAs/GaAs二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结AlGaAs/GaAs二极管，其特征在于，包括衬底层、GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、第二掺杂Si的GaAs层、GaAs本征层、掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层和掺杂Be或C的GaAs层;

所述衬底层、所述GaAs缓冲层、所述第一掺杂Si的GaAs层、所述第二掺杂Si的GaAs层、所述GaAs本征层、所述掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层和所述掺杂Be或C的GaAs层依次层叠连接；

所述GaAs本征层的厚度为900-1500nm。

2.根据权利要求1所述的异质结AlGaAs/GaAs二极管，其特征在于，所述GaAs缓冲层的厚度为200-1000nm，所述第一掺杂Si的GaAs层的厚度为500-1000nm，所述第二掺杂Si的GaAs层的厚度为100-300nm，所述掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层的厚度为150-200nm，所述掺杂Be或C的GaAs层的厚度为50-100nm。

3.根据权利要求1所述的异质结AlGaAs/GaAs二极管，其特征在于，所述第一掺杂Si的GaAs层中Si的浓度为5E18cm^-3，所述第二掺杂Si的GaAs层中Si的浓度为3E17cm^-3，所述掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层中Be或C的浓度为5E18cm^-3，所述掺杂Be或C的GaAs层中Be或C的浓度为3E19 cm^-3。

4.根据权利要求1所述的异质结AlGaAs/GaAs二极管，其特征在于，所述衬底层的材质包括单晶GaAs。

5.根据权利要求1所述的异质结AlGaAs/GaAs二极管，其特征在于，所述GaAs缓冲层、第一掺杂Si的GaAs层、所述第二掺杂Si的GaAs层、所述GaAs本征层、所述掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层和所述掺杂Be或C的GaAs层均采用化学气相沉积或分子束外延技术的方法制备。

6.一种异质结AlGaAs/GaAs二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取衬底层；

在所述衬底层上制备形成GaAs缓冲层；

在所述GaAs缓冲层制备形成第一掺杂Si的GaAs层；

在所述第一掺杂Si的GaAs层上制备形成第二掺杂Si的GaAs层；

在所述第二掺杂Si的GaAs层上制备形成GaAs本征层；所述GaAs本征层的厚度为900-1500nm；

在所述GaAs本征层上制备形成掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层；

在所述掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层上制备形成掺杂Be或C的GaAs层。

7.根据权利要求6所述的异质结AlGaAs/GaAs二极管的制备方法，其特征在于，所述GaAs缓冲层的厚度为200-1000nm，所述第一掺杂Si的GaAs层的厚度为500-1000nm，所述第二掺杂Si的GaAs层的厚度为100-300nm，所述掺杂Be或C的Al_0.09Ga_0.91As层的厚度为150-200nm，所述掺杂Be或C的GaAs层的厚度为50-100nm。