[发明专利]一种增大自旋轨道耦合的方法和自旋晶体管有效
| 申请号： | 202010050900.2 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN110875182B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 张杨;崔利杰 | 申请（专利权）人： | 中科芯电半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 孙艳敏 |
| 地址： | 100076 北京市大兴区西红*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种增大自旋轨道耦合的方法和晶体管，该方法是采用分子束外延或金属有机化学气相沉积的方式，在晶体管InxGa1‑xAs量子阱沟道层中使In组分的含量线性渐变增加，相应的，Ga组分的含量线性渐变减少。所述晶体管包括InP衬底，以及自InP衬底上依次外延生长的InAlAs缓冲层、InxGa1‑xAs量子阱沟道层、InAlAs空间隔离层、Si delta掺杂层、InAlAs势垒层和InGaAs帽层，其中，所述InxGa1‑xAs量子阱沟道层中In组分线性渐变增加。通过使用沟道线性In组分渐变来增大半导体材料（晶体管）中的自旋轨道耦合，能更好地调控自旋这个参量，为未来具有自旋轨道耦合的半导体材料能够投入到实际应用做好铺垫。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增大 自旋 轨道 耦合 方法 晶体管 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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