[发明专利]背照式图像传感器

摘要

本公开的实施例涉及背照式图像传感器。提供了图像传感器和制造图像传感器的方法。一种这种方法包括形成一种结构，该结构包括从前侧延伸到背侧的半导体层以及延伸穿过半导体层的电容性绝缘壁。电容性绝缘壁包括被导体或半导体材料的区域分离的第一绝缘壁和第二绝缘壁。半导体层以及导体或半导体材料的区域的部分被选择性地刻蚀，并且第一绝缘壁和第二绝缘壁具有向外突出超过半导体层的背侧和导体或半导体材料的区域的背侧的部分。电介质钝化层被沉积在结构的背侧上，并且在第一和第二绝缘壁的突出部分的背侧上的电介质钝化层的部分被局部地去除。