[发明专利]背照式图像传感器

权利要求书

1.一种制造图像传感器的方法，包括：

形成具有前侧和背侧的结构，所述结构包括半导体层以及电容性绝缘壁，所述半导体层从所述结构的所述前侧延伸到所述结构的所述背侧，所述电容性绝缘壁从所述结构的所述前侧到所述结构的所述背侧延伸穿过所述半导体层，所述电容性绝缘壁包括第一绝缘壁和第二绝缘壁，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁被导体或半导体材料的区域分离；

从所述结构的所述背侧选择性地刻蚀所述半导体层和所述导体或半导体材料的所述区域的部分，在所述刻蚀之后，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁中的每个绝缘壁具有向外突出超过所述半导体层的背侧和所述导体或半导体材料的所述区域的背侧的部分；

在所述结构的所述背侧上沉积电介质钝化层；以及

局部地去除所述电介质钝化层的部分，所述电介质钝化层的所述部分在所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的突出的所述部分的背侧上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述局部地去除所述电介质钝化层的部分包括：

在所述电介质钝化层上沉积牺牲层；以及

减薄所述牺牲层以到达所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的突出的所述部分的所述背侧。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述局部地去除所述电介质钝化层的部分还包括：去除在所述减薄所述牺牲层之后剩余的所述牺牲层的部分。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述牺牲层由氮化硅制成。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述局部地去除所述电介质钝化层的部分之后，在所述电介质钝化层的背侧上和在所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的突出的所述部分的所述背侧上沉积抗反射层。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述电介质钝化层的背侧上沉积抗反射层，以及

局部地去除在所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的突出的所述部分的所述背侧上的所述抗反射层的部分。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述抗反射层包括氧化钽。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述电介质钝化层包括具有的电介质常数大于氧化硅、氧化铝或氧化铪的电介质常数的电介质材料。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述形成所述结构之后，并且在所述选择性地刻蚀所述半导体层和所述导体或半导体材料的所述区域的所述部分之前，氧化所述半导体层的所述背侧。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层由单晶硅制成，所述导体或半导体材料的所述区域由多晶硅或非晶硅制成，并且所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁由氧化硅制成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容性绝缘壁包括第三绝缘壁，所述第三绝缘壁将所述导体或半导体材料的所述区域分离成两个不同的壁。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构还包括互连结构，所述互连结构涂覆所述半导体层的前侧。

13.一种图像传感器，包括：

半导体层，具有前侧和背侧；

电容性绝缘壁，从所述半导体层的所述前侧延伸到所述半导体层的所述背侧，所述电容性绝缘壁包括第一绝缘壁和第二绝缘壁；

导体或半导体材料的区域，在所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁之间延伸，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁中的每个绝缘壁具有从所述半导体层的所述背侧并且从所述导体或半导体材料的所述区域的背侧突出的部分；以及

电介质钝化层，涂覆所述半导体层的所述背侧和所述导体或半导体材料的所述区域的所述背侧，所述第一绝缘壁和所述第二绝缘壁的所述突出的部分的背侧未被所述电介质钝化层覆盖。