[发明专利]一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202010017131.6 | 申请日： | 2020-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN111129250A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴小明;陈芳;陶喜霞;王光绪;李树强;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/30;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片结构及制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面反射电极、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、发光层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、N面电极，所述N型电流扩展层为Al组份x满足0.1≤x≤0.5的(Al |
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| 搜索关键词： | 一种 极性 algainp 薄膜 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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