[发明专利]一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片，从下至上依次包括：基板、键合金属层、P面电极、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、发光层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层、N面电极，其特征在于：所述N型电流扩展层为Al组份x满足0.1≤x≤0.5的(Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P材料。

2.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面电极包括焊盘和N面扩展电极线，N面扩展电极线按间距型平行线、方环型或圆环型排列中的一种。

3.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面扩展电极线间距为W，120μm≤W≤200μm。

4.根据权利要求1所述的反极性AlGaInP薄膜LED芯片，其特征在于：所述N面电极为AuGeNi，其中：Ni的重量比为0-10%，Ge的重量比为1‰-10%，AuGeNi的总厚度为1μm-5μm。

5.一种反极性AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，特征是：包括以下步骤：

（1）在临时衬底GaAs上外延生长腐蚀截止层、N型欧姆接触层，N型电流扩展层、发光层、P型电流扩展层，P型欧姆接触层；

（2）按常规方法制备P面电极、制备键合金属层、与永久基板键合、去除临时衬底、去除腐蚀截止层、粗化、制备切割道、制备N面电极。

6.根据权利要求5所述的反极性AlGaInP薄膜LED芯片的制备方法，其特征在于：在步骤（2）中，N面电极利用电子束蒸发或溅射方法制备在N型欧姆接触层上，N面扩展电极线间距为120μm-200μm。