[发明专利]基于磁流变抛光技术的路径规划与加工方法有效

专利信息
申请号: 202010013796.X 申请日: 2020-01-07
公开(公告)号: CN111190386B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 万嵩林;魏朝阳;邵建达;顾昊金;焦绘民;黄林昱 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所;上海恒益光学精密机械有限公司
主分类号: G05B19/19 分类号: G05B19/19;B24B1/00
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种磁流变抛光中最优角度路径规划与加工方法,步骤为:测量得到磁流变去除函数,同时确定加工路径的采样间距;对去除函数进行二维傅里叶变换,分析磁流变去除函数二维频谱在路径采样频率处的最低截止频率的对应角度;加工时通过调整加工路径的方向或磁流变抛光轮的姿态使得抛光轮与路径的夹角始终呈上述分析得到的角度;最终控制机床加工得到的面形中频误差将远优于传统垂直路径加工所得到的结果。本发明仅需改变去除函数与路径之间的夹角至理论分析得到的最优值,不需要任何附加成本即可获得中频误差优于传统路径5~10倍以上的加工结果;同时使得磁流变工具的无中频加工成为可能,这对加工效率提高、机床寿命延长都有着重要意义。
搜索关键词: 基于 流变 抛光 技术 路径 规划 加工 方法
【主权项】:
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