[发明专利]基于磁流变抛光技术的路径规划与加工方法

权利要求书

1.一种磁流变抛光中最优角度路径规划与加工方法，其特征在于，包括步骤如下：

(1)确定去除函数R(x,y)：应用抛光工艺过程进行去除函数试验提取去除函数，或直接使用已知的去除函数；

(2)确定加工路径的扫描步距：设置路径的扫描步距d(mm)，并换算成频率单位为1/d(mm^-1)；

(3)确定最优方向角度θ₀：对去除函数R(x,y)进行二维傅里叶变换得到频谱函数F(fx,fy)，分析在频率1/d mm^-1处各路径方向与磁流变抛光轮旋转方向的夹角θ下的频谱幅值，

当满足如下公式时，对应夹角即为最优方向角度θ₀：

s.t 0≤θ≤2π

(4)生成最优角度路径：根据上一步得到的最优方向角度θ₀，保持路径方向与磁流变抛光轮旋转方向的夹角始终保持该角度，此时路径方程表示为

其中

每个i对应路径中的一条栅线

R为路径行进区域半径；

(5)检测面形误差分布：利用面形检测设备对待加工元件进行面形误差检测，得到面形误差分布E(x,y)；

(6)计算驻留时间分布：对该待加工元件路径每间隔d距离进行采样，得到离散点坐标作为采样点，根据面形误差分布E(x,y)计算各采样点位置处的驻留时间分布T(x,y)；

(7)计算加工进给速率分布V(x,y)，公式如下：

(8)根据步骤(4)得到最优角度路径和步骤(7)得到加工进给速率分布V(x,y)，生成数控代码，从而控制机床对待加工元件进行磁流变抛光。

2.根据权利要求1所述的磁流变抛光中最优角度路径规划与加工方法，其特征在于根据去除函数特性生成最优角度加工路径，再基于路径信息得到进给速率数值生成数控代码，控制磁流变加工机床依该最优角度路径进行磁流变加工。