[发明专利]缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备有效
| 申请号： | 202010003662.X | 申请日： | 2020-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN111144058B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 邱柯妮;朱玉洁;赵雪;夏立雪 | 申请（专利权）人： | 首都师范大学 |
| 主分类号： | G06F30/3308 | 分类号： | G06F30/3308;G06F30/36;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 岳凤羽 |
| 地址： | 100089 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备，应用于计算机与电子信息技术领域，其中，获取忆阻器交叉阵列的输入电压；计算所述忆阻器交叉阵列中的潜通路引起的电流误差值；根据所述潜通路引起的电流误差值对所述输入电压进行调整，以降低所述潜通路引起的电流误差值。如此，只需调整忆阻器交叉阵列中的输入电压，便可以降低所述潜通路引起的电流误差值，调整了潜通路引起的误差损失，不必在忆阻器交叉阵列中再次添加新的设备，从而，不必改变忆阻器交叉阵列的制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 缓解 忆阻器 交叉 阵列 通路 影响 方法 相关 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首都师范大学，未经首都师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010003662.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种晶圆片平面测量仪
- 下一篇：一种用于防治红斑狼疮的药物及其制备方法
