[发明专利]缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法及相关设备

权利要求书

1.一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的方法，其特征在于，包括：

获取忆阻器交叉阵列的输入电压；

计算所述忆阻器交叉阵列中的潜通路引起的电流误差值；

根据所述潜通路引起的电流误差值对所述输入电压进行调整，以降低所述潜通路引起的电流误差值；

所述输入电压包括所述忆阻器交叉阵列中各输入端的输入电压，所述潜通路引起的电流误差值包括各分支通路的潜通路引起的电流误差值及所述忆阻器交叉阵列的输出潜通路引起的电流误差值；

所述根据所述潜通路引起的电流误差值对所述输入电压进行调整，包括：

将各输入端的输入电压归类至第一预设范围或第二预设范围内，其中，所述第一预设范围内的电压值大于所述第二预设范围内的电压值，并且所述第一预设范围和所述第二预设范围均在预设电压范围内；

判断所述忆阻器交叉阵列的输出潜通路引起的电流误差值是否大于第二误差值；

若大于，降低所述第一预设范围内的输入端的输入电压，和/或，增加所述第二预设范围内的输入端的输入电压；

若小于，增加所述第一预设范围内的输入端的输入电压，和/或，降低所述第二预设范围内的输入端的输入电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取忆阻器交叉阵列的输入电压之前，还包括：

获取预设的约束条件，以使所述忆阻器交叉阵列满足所述约束条件；

所述约束条件包括：所述输入电压在预设电压范围内；在所述忆阻器交叉阵列中忆阻器节点阻值大于或等于预设阻值时，所述忆阻器节点所处的分支通路潜通路引起的电流误差值为第一预设误差值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，增加输入端的输入电压，包括：

获取所述预设电压范围内的最大值；

根据所述最大值和所述输入电压计算得到的电压值，作为增加后的输入电压。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，降低输入端的输入电压，包括：

获取所述预设电压范围内的最小值；

根据所述最小值和所述输入电压计算得到的电压值，作为降低后的输入电压。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

判断降低后的所述潜通路引起的电流误差值是否小于第三预设误差值；

若不小于，则继续调整所述输入电压，直至小于。

6.一种缓解忆阻器交叉阵列中潜通路影响的装置，其特征在于，包括：

第一获取模块，用于获取忆阻器交叉阵列的输入电压；

计算模块，用于计算所述忆阻器交叉阵列中的潜通路引起的电流误差值；

调整模块，用于根据所述潜通路引起的电流误差值对所述输入电压进行调整，以降低所述潜通路引起的电流误差值；

所述输入电压包括所述忆阻器交叉阵列中各输入端的输入电压，所述潜通路引起的电流误差值包括各分支通路的潜通路引起的电流误差值及所述忆阻器交叉阵列的输出潜通路引起的电流误差值；

所述根据所述潜通路引起的电流误差值对所述输入电压进行调整，包括：

将各输入端的输入电压归类至第一预设范围或第二预设范围内，其中，所述第一预设范围内的电压值大于所述第二预设范围内的电压值，并且所述第一预设范围和所述第二预设范围均在预设电压范围内；

判断所述忆阻器交叉阵列的输出潜通路引起的电流误差值是否大于第二误差值；

若大于，降低所述第一预设范围内的输入端的输入电压，和/或，增加所述第二预设范围内的输入端的输入电压；

若小于，增加所述第一预设范围内的输入端的输入电压，和/或，降低所述第二预设范围内的输入端的输入电压。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：

第二获取模块，用于获取预设的约束条件，以使所述忆阻器交叉阵列满足所述约束条件；

所述约束条件包括：所述输入电压在预设电压范围内；在所述忆阻器交叉阵列中忆阻器节点阻值大于或等于预设阻值时，所述忆阻器节点所处的分支通路潜通路引起的电流误差值为第一预设误差值。