[发明专利]制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法在审
| 申请号： | 201980102686.6 | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN114746978A | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | P·阿塞夫;E·彻尼舍瓦;A·辛格;王贯中 | 申请（专利权）人： | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C14/04;C23C14/22;H01L21/033;H01L39/24 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 美国华*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法，包括：在衬底上形成抗蚀剂的层；选择性地去除抗蚀剂的一部分以在抗蚀剂中形成通道；在通道中形成非晶介电材料层；以及去除抗蚀剂以形成中空壁。该通道具有前表面，该前表面被构造成防止中空壁的相应前表面弯曲。例如，在制造半导体‑超导体混合器件时，中空壁可以用于控制材料的沉积。通过适当地构造通道，可以防止中空壁弯曲，从而允许材料的更精确沉积。还提供了另一种制造中空壁的方法；以及使用中空壁制造器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 控制 材料 定向 沉积 中空 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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