[发明专利]制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法在审
| 申请号: | 201980102686.6 | 申请日: | 2019-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN114746978A | 公开(公告)日: | 2022-07-12 |
| 发明(设计)人: | P·阿塞夫;E·彻尼舍瓦;A·辛格;王贯中 | 申请(专利权)人: | 微软技术许可有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C14/04;C23C14/22;H01L21/033;H01L39/24 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 董莘 |
| 地址: | 美国华*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 用于 控制 材料 定向 沉积 中空 方法 | ||
1.一种制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法,所述方法包括:
在衬底上形成抗蚀剂的层;
选择性地去除所述抗蚀剂的一部分以在所述抗蚀剂中形成通道;
在所述通道中形成非晶介电材料层;以及
去除所述抗蚀剂以形成所述中空壁;
其中所述通道具有前表面,所述前表面被构造成防止所述中空壁的对应前表面弯曲。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述通道具有大致矩形形状,所述大致矩形形状包括所述前表面、与所述前表面相对的后表面以及侧表面对;
其中所述大致矩形形状包括在所述前表面与所述侧表面对中的一个侧表面之间的倒角拐角,所述倒角拐角具有与相应侧表面的内角以及被选定以防止所述中空壁的所述前表面弯曲的倒角长度;以及可选地,
其中所述内角在96°至104°的范围内。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述倒角长度在400nm至800nm的范围内和/或其中所述侧表面对彼此相隔1.5μm到2.5μm范围内的距离。
4.根据权利要求2或3所述的方法,其中所述大致矩形形状还包括在所述侧表面对中的每个侧表面与所述后表面之间的相应倒角拐角。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述前表面具有被选定以防止所述中空壁的所述前表面弯曲的向外弯曲。
6.根据权利要求5所述的方法,其中所述通道包括在所述前表面的相应端部处的相对侧表面对;
其中所述向外弯曲使得所述前表面的中点与所述相对侧表面对中的一个侧表面之间的内角在96°至104°的范围内;以及可选地,
其中所述相对侧表面彼此相隔1.8μm至2.2μm范围内的距离。
7.根据任一前述权利要求所述的方法,其中去除所述抗蚀剂的所述部分在所述抗蚀剂中形成多个通道,所述多个通道包括用于形成第二中空壁的第二通道,
其中所述第二通道包括第一表面和第二表面;
其中所述第二通道包括凸起,所述凸起被布置在所述第一表面与所述第二表面之间的拐角处,所述凸起被构造成减少所述第二中空壁的对应拐角的变形;以及可选地,
其中所述多个通道包括:第一通道和两个第二通道,所述第一通道是根据权利要求1至6中的任一项所定义的通道,所述两个第二通道被布置在所述第一通道的任一侧上。
8.一种制造用于控制材料的定向沉积的中空壁的方法,所述方法包括:
在衬底上形成抗蚀剂的层;
选择性地去除所述抗蚀剂的一部分以在所述抗蚀剂中形成通道;
在所述通道中沉积非晶介电材料层;以及
去除所述抗蚀剂以形成所述中空壁;
其中所述通道包括第一表面和第二表面;以及
其中所述通道包括凸起,所述凸起被布置在所述第一表面与所述第二表面之间的拐角处,所述凸起被构造成防止所述中空壁的对应拐角变形。
9.根据权利要求8所述的方法,其中所述凸起具有在50nm至150nm范围内的长度;和/或其中所述凸起相对于所述第一表面和所述第二表面成角度为20°至45°范围内的角度。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其中所述第一表面和第二表面是锯齿状的,以防止所述中空壁的对应的第一面和第二面弯曲。
11.根据权利要求8至10中的任一项所述的方法,其中所述通道具有大致三角形形状。
12.一种制造器件的方法,所述方法包括:
使用根据任一前述权利要求所述的方法制造中空壁;以及
使用射束在衬底上方选择性地沉积材料;
其中所述射束以被选定的方向朝向所述衬底,以使所述中空壁防止所述材料沉积在由所述中空壁生成的阴影区域中。
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