[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201980094734.1 | 申请日： | 2019-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113632238A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 木村光太 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | IGBT(2)、二极管(3)以及阱区域(4)设置于半导体衬底(1)。IGBT(2)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的沟槽栅极(6)。二极管(3)具有在半导体衬底(1)的第1主面设置的p型阳极层(19)。阱区域(4)设置于半导体衬底(1)的第1主面，具有比p型阳极层(19)浓度高、比沟槽栅极(6)深度深的p型阱层(21)。沟槽栅极(6)的末端设置于阱区域(4)，被p型阱层(21)包围。二极管(3)设置于比IGBT(2)更靠半导体衬底(1)的外侧处。阱区域(4)设置于比二极管(3)更靠半导体衬底(1)的外侧处。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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