[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体衬底，其具有彼此相反侧的第1主面和第2主面；以及

IGBT、二极管以及阱区域，它们设置于所述半导体衬底，

所述IGBT具有在所述半导体衬底的所述第1主面设置的沟槽栅极，

所述二极管具有在所述半导体衬底的所述第1主面设置的p型阳极层，

所述阱区域设置于所述半导体衬底的所述第1主面，具有比所述p型阳极层浓度高、比所述沟槽栅极深度深的p型阱层，

所述沟槽栅极的末端设置于所述阱区域，被所述p型阱层包围，

所述二极管设置于比所述IGBT更靠所述半导体衬底的外侧处，

所述阱区域设置于比所述二极管更靠所述半导体衬底的外侧处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述二极管与所述阱区域接触。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述阱区域具有在所述半导体衬底的所述第2主面设置的p型层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述二极管，在所述沟槽栅极的侧旁设置有n型发射极层。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述二极管具有在所述半导体衬底的所述第2主面设置的n型阴极层，

所述第2主面侧的所述n型阴极层与所述p型层的边界配置于比所述第1主面侧的所述p型阳极层与所述p型阱层的边界更靠所述半导体衬底的中心侧处。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在所述二极管的所述p型阳极层和所述阱区域的所述p型阱层的下方设置有寿命控制层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体衬底由宽带隙半导体形成。