[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980089860.8 | 申请日： | 2019-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113330578A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | 丸井俊治;林哲也;沼仓启一郎;倪威;田中亮太;竹本圭佑 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 孙杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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