[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有：半导体基体(20)、以及配置在半导体基体(20)的第一主电极(30)及第二主电极(40)。半导体基体(20)具有：主电流流动的第一导电型的漂移区域(21)、与主电流的电流通路平行且与漂移区域(21)邻接而配置的第二导电型的柱区(22)、与第二主电极(40)电连接的第一导电型的第二电极连接区域(24)、以及配置在第二电极连接区域(24)与柱区(22)之间且杂质浓度比漂移区域(21)低的第一导电型的低浓度电场缓和区域(25)。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

为了实现高耐压且低导通电阻，正在开发一种具有超结结构(SJ结构)的半导体装置，该超结结构交替配置n型漂移区域与p型柱区，周期性地形成pn结(参照专利文献1)。在SJ结构的半导体装置中，经由与主电极电连接的半导体区域(下面称为“电极连接区域”)，在主电极之间形成SJ结构。即使提高主电流流动的漂移区域的n型杂质的浓度来降低导通电阻，利用在反向偏置时从漂移区域与柱区的边界的pn结延伸的耗尽层，也会使漂移区域耗尽。因此，可以较高地确保半导体装置的耐压。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2002-319680号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

在上述SJ结构的情况下，漂移区域与柱区的边界的电场均匀。但是，在反向偏置时，电场集中在杂质浓度较高的、与n型电极连接区域对置的p型柱区的端部，存在半导体装置的耐压降低之类的问题。

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种具有超结结构、且能够抑制耐压降低的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方式的半导体装置的主旨在于，具有由第一导电型的漂移区域与第二导电型的柱区构成的超结结构，在与一方的主电极连接的第一导电型的电极连接区域和柱区之间配置有杂质浓度比漂移区域低的第一导电型的低浓度电场缓和区域。

本发明的其它方式的半导体装置的制造方法的主旨在于，通过离子注入形成构成超结结构的第一导电型的漂移区域与第二导电型的柱区、与主电极连接的第一导电型的电极连接区域、以及杂质浓度比在电极连接区域与柱区之间配置的漂移区域低的第一导电型的低浓度电场缓和区域。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种具有超结结构、且能够抑制耐压降低的半导体装置以及半导体装置的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的第一实施方式的半导体装置的结构的示意性立体图。

图2是表示用于计算电场强度的比较例模型的示意图。

图3是表示用于计算电场强度的第一实施方式模型的示意图。

图4是表示电场强度的计算结果的曲线图。

图5是用于说明本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性工序图(之一)。

图6是用于说明本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性工序图(之二)。

图7是用于说明本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性工序图(之三)。

图8是用于说明本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性工序图(之四)。

图9是用于说明本发明的第一实施方式的半导体装置的制造方法的示意性工序图(之五)。