[发明专利]存储器装置的极性写入单元架构

摘要

本发明描述用于存储器装置的极性写入单元架构的方法、系统及装置。在实例中，所述所描述架构可包含存储器单元，所述存储器单元各自包含材料或以其它方式与所述材料相关联，所述材料经配置以至少部分地基于施加到所述材料的写入电压的极性而存储一组逻辑状态中的一者。所述存储器单元中的每一者还可包含经配置以将所述材料与存取线选择性地耦合的单元选择组件。在一些实例中，所述材料可包含硫属化物，且所述材料可经配置以在所述硫属化物的非晶状态中存储所述一组逻辑状态中的每一者。在各种实例中，不同逻辑状态可与相应存储器单元的所述材料的不同组成分布、相应存储器单元的所述材料的不同阈值特性或其它特性相关联。