[发明专利]适形膜的逐层生长方法在审
| 申请号： | 201980074265.7 | 申请日： | 2019-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN113016062A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 约迪·格热希科维亚克;安东·德维利耶;丹尼尔·富尔福德 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 陈炜;李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文的技术包括在包括半导体晶圆的衬底上形成适形膜的方法。常规的成膜技术可能是缓慢且昂贵的。本文的方法包括在该衬底上沉积自组装单层(SAM)膜。该SAM膜可以包括被配置为响应于预定刺激而产生酸的酸产生剂。在该SAM膜上沉积聚合物膜。该聚合物膜可溶于预定显影剂并且被配置为响应于暴露于该酸而改变溶解度。该酸产生剂被刺激并产生酸。将该酸扩散到该聚合物膜中。用该预定显影剂对该聚合物膜进行显影，以去除该聚合物膜的未被保护免于该预定显影剂的部分。可以将这些方法步骤重复希望的次数，以逐层生长聚集膜。 | ||
| 搜索关键词： | 适形膜 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
