[发明专利]适形膜的逐层生长方法

权利要求书

1.一种处理衬底的方法，该方法包括：

提供衬底；

在该衬底上沉积自组装单层(SAM)的第一膜，该SAM的第一膜包括被配置为响应于预定刺激而产生酸的酸产生剂；

在该SAM的第一膜上沉积聚合物的第一膜，该聚合物的第一膜可溶于预定显影剂并且被配置为响应于暴露于该酸而改变溶解度；

刺激该酸产生剂；

将该酸从该酸产生剂扩散到该聚合物的第一膜中；并且

用该预定显影剂对该聚合物的第一膜进行显影，以去除该聚合物的第一膜的未被保护免于该预定显影剂的部分。

2.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：

在该聚合物的第一膜上沉积该SAM的第二膜，该SAM的第二膜包括被配置为响应于该预定刺激而产生酸的该酸产生剂；

在该SAM的第二膜上沉积该聚合物的第二膜，该聚合物的第二膜可溶于该预定显影剂并且被配置为响应于暴露于该酸而改变溶解度；

刺激该酸产生剂；

将该酸从该酸产生剂扩散到该聚合物的第二膜中；并且

用该预定显影剂对该聚合物的第二膜进行显影，以去除该聚合物的第二膜的未被保护免于该预定显影剂的部分。

3.如权利要求2所述的方法，该方法进一步包括：

重复沉积该SAM的给定膜、沉积该聚合物的给定膜、刺激该酸产生剂、扩散该酸并用该预定显影剂将该聚合物的给定膜显影的至少一次迭代。

4.如权利要求3所述的方法，其中，进行该重复直到达到这些SAM膜和这些聚合物膜的组合厚度的预定厚度。

5.如权利要求1所述的方法，其中，当被扩散到该聚合物中时，该酸引发交联反应，以保护该聚合物免于该预定显影剂。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该聚合物的第一膜的厚度是基于到该聚合物的第一膜中的该酸的酸扩散长度。

7.如权利要求6所述的方法，其中，该酸的酸扩散长度由烘烤时间、烘烤温度和该酸的分子量中的至少一项决定。

8.如权利要求7所述的方法，其中，该酸扩散长度由该烘烤温度和该烘烤时间决定。

9.如权利要求1所述的方法，其中，该衬底包括布置在该衬底表面上的结构。

10.如权利要求1所述的方法，其中，该SAM的结构包括头基、尾部、和官能团，该尾部将该头基连接到该官能团，该头基附接到该衬底的表面，并且该官能团被配置为响应于该预定刺激而产生该酸。

11.如权利要求1所述的方法，其中，该酸产生剂响应于高于预定温度阈值的加热而产生酸。

12.如权利要求1所述的方法，其中，该酸产生剂响应于暴露于具有预定波长的辐射而产生酸。

13.如权利要求1所述的方法，其中，该SAM的第一膜通过旋涂沉积进行沉积。

14.如权利要求1所述的方法，其中，该方法在基于轨道的处理模块中执行。

15.如权利要求1所述的方法，该方法进一步包括：

确定刺激暴露的第一模式，该刺激暴露的第一模式在整个该衬底的表面上具有空间可变的暴露强度，其中，

基于该刺激暴露的第一模式刺激该酸产生剂。

16.如权利要求15所述的方法，其中，刺激该酸产生剂是基于通过直写投影工具对该SAM进行的空间定向加热。

17.如权利要求15所述的方法，其中，刺激该酸产生剂是基于通过直写投影工具，用具有预定波长的辐射对该SAM进行的空间定向照射。