[发明专利]将半导体芯片校准地放置到连接载体上的用于制造电子元件的方法、相应的电子元件以及相应的半导体芯片及其制造方法

摘要

一种用于制造电子元件(100)的方法包括：步骤A)，在该步骤中提供了半导体芯片(2)(例如像素化的光电子半导体芯片(2))，其具有底侧(20)、多个接触销(21)和至少一个校准销(25)，所述接触销和校准销从底侧(20)突出。接触销(21)设计用于电接触半导体芯片(2)。校准销(25)在远离底侧(20)的方向上变细并且比接触销(21)从底侧(20)突出得更远。在步骤B)中，提供了连接载体(I)，其具有上侧(10)，多个接触凹部(II)和至少一个校准凹部(15)被引入到所述上侧中。接触凹部(11)分别至少部分地用焊接材料(12)填充。在步骤C)中，将接触凹部(11)中的焊接材料(12)加热到焊接材料(12)至少部分熔化的接合温度。在步骤D)中，将半导体芯片(2)放置到连接载体(1)上，其中，将接触销(21)分别引入到接触凹部(11)中并且将校准销(25)引入到校准凹部(15)中。在此，接触销(21)浸入到熔化的焊接材料(12)中。能够将焊接材料(12)和接触销(21)的材料选择成使得在步骤D)中并且在接合温度下，焊接材料(12)和接触销(21)通过等温固化材料配合地彼此连接。用于制造半导体芯片(2)的方法包括以下步骤：A)提供具有半导体本体(26)和底侧(20)的基体，其中，将多个接触销(21)和至少一个校准销(25)布置在半导体本体(26)上，所述接触销和校准销分别从底侧(20)突出，其中，接触销(21)设计用于电接触半导体本体(26)，校准销(25)比接触销(21)从底侧(20)突出得更远，并且校准销(25)的直径在校准销(25)的整个高度之上基本上是恒定的；B)在校准销(25)旁边的区域中在半导体本体(26)上构成成形体(4)，其中，成形体(4)对校准销(25)侧向地成形；C)通过将蚀刻剂施加到成形体(4)和校准销(25)的背离半导体本体(26)的一侧上来执行蚀刻工艺，其中，蚀刻剂侵蚀成形体(4)和校准销(25)，蚀刻剂对成形体(4)的蚀刻速率高于其对校准销(25)的蚀刻速率，并且执行蚀刻工艺直至校准销(25)的形状改变成使得校准销(25)在远离底侧(20)的方向上变细。步骤C)中的蚀刻工艺能够执行直至将成形体(4)完全移除。接触销(22)和校准销(25)能够在步骤A)之前电镀地施加在半导体本体(26)上，其中，尤其是接触销(21)和校准销(25)的第一部段借助于第一电镀工艺来被共同制造，并且随后在第二电镀工艺中制造完成校准销。