[发明专利]将半导体芯片校准地放置到连接载体上的用于制造电子元件的方法、相应的电子元件以及相应的半导体芯片及其制造方法在审
| 申请号: | 201980067647.7 | 申请日: | 2019-10-17 |
| 公开(公告)号: | CN113169078A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | 马赛厄斯·文特;西米恩·卡茨;帕斯卡·波尔藤 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485;H01L33/62;H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 侯丽英;刘继富 |
| 地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 芯片 校准 放置 连接 载体 用于 制造 电子元件 方法 相应 以及 及其 | ||
1.一种用于制造电子元件(100)的方法,包括以下步骤:
A)提供半导体芯片(2),所述半导体芯片具有底侧(20)、多个接触销(21)和至少一个校准销(25),其中,
-所述接触销(21)和所述校准销(25)分别从所述底侧(20)突出,
-所述接触销(21)设计用于电接触所述半导体芯片(2),
-所述校准销(25)在远离所述底侧(20)的方向上变细,
-所述校准销(25)比所述接触销(21)从所述底侧(20)突出得更远;
B)提供连接载体(1),所述连接载体具有上侧(10),多个接触凹部(11)和至少一个校准凹部(15)被引入到所述上侧中,其中,
-所述接触凹部(11)分别至少部分地用焊接材料(12)填充;
C)将所述接触凹部(11)中的焊接材料(12)加热到所述焊接材料(12)至少部分熔化的接合温度;
D)将所述半导体芯片(2)放置到所述连接载体(1)上,其中,
-所述接触销(21)被分别引入到所述接触凹部(11)中并且所述校准销(25)被引入到所述校准凹部(15)中,和
-所述接触销(21)浸入到熔化的焊接材料(12)中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,
-所述校准凹部(15)的直径大于所述校准销(25)的直径,
-所述校准凹部(15)的直径最大为所述校准销(25)的最宽部位处的直径的两倍,
-所述校准凹部(15)的深度大于所述接触凹部(11)的深度。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中,将所述焊接材料(12)和所述接触销(21)的材料选择成使得在所述步骤D)中并且在所述接合温度下,所述焊接材料(12)和所述接触销(21)通过等温固化材料配合地彼此连接。
4.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,借助所述方法将所述半导体芯片(2)电连接在所述连接载体(1)上。
5.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,
-所述半导体芯片(1)是像素化的光电子半导体芯片(1),
-将像素化的所述半导体芯片(1)的一个或更多个像素(22)分配给每一个接触销(21)。
6.根据前述权利要求之一所述的方法,其中,
-所述连接载体(1)包括多个电子开关(13),
-每一个接触凹部(11)分配有一个开关(13)。
7.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,在所述步骤D)中,将所述接触销(21)浸入到熔化的焊接材料(12)中,使得在每个接触凹部(11)中置换出的所述焊接材料(12)的体积至少为所述接触凹部(11)中的所述焊接材料(12)的总体积的10%。
8.根据前述权利要求之一所述的方法,
其中,在所述接触凹部(11)和所述校准凹部(15)之外的区域中,与所述接触销(21)相比,所述连接载体(1)的上侧(10)更差地通过熔化的焊接材料(12)来被浸湿。
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