[发明专利]用于高数值孔径穿缝源掩模优化的方法在审
| 申请号: | 201980066886.0 | 申请日: | 2019-10-03 |
| 公开(公告)号: | CN112823312A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
| 发明(设计)人: | K·Z·特鲁斯特;E·范塞滕;段福·史蒂芬·苏 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 闫红 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本文描述了一种利用光刻投影设备进行源掩模优化的方法。光刻投影设备包括照射源和被配置为将掩模设计布局成像到衬底上的投影光学器件。该方法包括使用针对照射源、投影光学器件和掩模设计布局的多个可调谐设计变量来确定多变量源掩模优化函数。多变量源掩模优化函数考虑到遍及曝光缝隙中对应于掩模设计布局的不同条纹的不同位置的成像变化,所述不同条纹由曝光设备的同一缝隙位置曝光。该方法包括迭代地调整所述多变量源掩模优化函数中的多个可调谐设计变量,直到满足终止条件。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 数值孔径 穿缝源掩模 优化 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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