[发明专利]用于高数值孔径穿缝源掩模优化的方法在审
| 申请号: | 201980066886.0 | 申请日: | 2019-10-03 | 
| 公开(公告)号: | CN112823312A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 | 
| 发明(设计)人: | K·Z·特鲁斯特;E·范塞滕;段福·史蒂芬·苏 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 | 
| 主分类号: | G03F1/70 | 分类号: | G03F1/70;G03F7/20 | 
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 闫红 | 
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 数值孔径 穿缝源掩模 优化 方法 | ||
1.一种利用光刻投影设备进行源掩模优化的方法,所述光刻投影设备包括照射源和被配置为将掩模设计布局成像到衬底上的投影光学器件,所述方法包括:
利用硬件计算机系统,使用针对所述照射源、所述投影光学器件和所述掩模设计布局的多个可调谐设计变量来确定多变量源掩模优化函数,所述多变量源掩模优化函数描述遍及所述掩模设计布局的多个位置的成像变化;以及
利用所述硬件计算机系统迭代地调整所述多变量源掩模优化函数中的所述多个可调谐设计变量,直到满足终止条件。
2.如权利要求1所述的方法,其中,所述多变量源掩模优化函数描述遍及曝光缝隙中的不同位置的成像变化,所述曝光缝隙中的不同位置对应于所述掩模设计布局的不同位置。
3.如权利要求2所述的方法,其中,所述多变量源掩模优化函数包括对应于所述曝光缝隙中不同位置的各个多变量源掩模优化函数,所述曝光缝隙中的不同位置对应于所述掩模设计布局的不同位置,并且其中,所述掩模设计布局的不同位置是条纹。
4.如权利要求2所述的方法,其中,所述多变量源掩模优化函数描述遍及所述曝光缝隙中的对应于所述掩模设计布局的条纹的不同位置的成像变化,所述条纹至少包括缝隙的中心以及沿着所述缝隙的另一个位置。
5.如权利要求2所述的方法,其中,所述成像变化是由遍及具有或不具有辅助特征的所述掩模设计布局的一个或多个对应条纹中的不同位置的所述曝光缝隙中的变化造成的。
6.如权利要求2所述的方法,其中,所述成像变化是由遍及所述掩模设计布局的一个或多个条纹中的不同位置的穿缝光瞳变化造成的,和/或
其中,所述穿缝光瞳变化是由所述掩模设计布局的缝隙中的不同位置处的光瞳旋转和/或光瞳中的闪烁光点造成的。
7.如权利要求1所述的方法,其中,所述终止条件与掩模设计布局在所述衬底上的图像品质相关联。
8.如权利要求1所述的方法,其中,所述终止条件与光瞳形状相关联。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述掩模设计布局包括以下各项中的一项或多项:整个设计布局、片段、或所述掩模设计布局的一个或多个临界特征。
10.如权利要求1所述的方法,其中,针对所述照射源、所述投影光学器件和/或所述掩模设计布局的所述可调谐设计变量中的一个或多个与极紫外光刻相关联。
11.如权利要求1所述的方法,其中,所述终止条件包括以下各项中的一项或多项:所述多变量源掩模优化函数的最大化、所述多变量源掩模优化函数的最小化、或所述多变量源掩模优化函数的突破阈值的值。
12.如权利要求1所述的方法,其中,所述终止条件包括预定次数迭代或预定计算时间中的一项或多项。
13.如权利要求1所述的方法,其中,所述终止条件与针对所述照射源、所述投影光学器件和所述掩模设计布局的所述可调谐设计变量的限定用于极紫外光刻的过程窗口的值相关联。
14.如权利要求1所述的方法,其中,所述终止条件与针对所述照射源、所述投影光学器件和所述掩模设计布局的所述可调谐设计变量的限定遍及所述掩模设计布局的多个位置能够用于极紫外光刻的光瞳的值相关联。
15.如权利要求1所述的方法,其中,在不存在限制所述可调谐设计变量的可能值的范围的约束条件的情况下,执行所述多变量源掩模优化函数中的所述多个可调谐设计变量的迭代调整,直到满足终止条件。
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