[发明专利]具有用于不同电容密度电容器的侧壁间隔件的局部硅氧化在审
| 申请号： | 201980066690.1 | 申请日： | 2019-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN112868099A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 亨利·利茨曼·爱德华兹 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种集成电路IC(100)包含第一电容器(150a)、第二电容器(150b)及与所述电容器一起配置用于在衬底(102)上的半导体表面层(106)中实现至少一个电路功能的功能电路(180)。所述电容器包含在局部硅氧化LOCOS氧化物(110a、110b)上的顶板(112)，其中用于所述第二电容器的所述LOCOS氧化物的厚度比用于所述第一电容器的所述LOCOS氧化物的厚度厚。针对所述第一及第二电容器存在用于所述顶板的接触件(122a)及用于底板的接触件(122b)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 不同 电容 密度 电容器 侧壁 间隔 局部 氧化 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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