[发明专利]具有用于不同电容密度电容器的侧壁间隔件的局部硅氧化在审

专利信息
申请号: 201980066690.1 申请日: 2019-10-08
公开(公告)号: CN112868099A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 亨利·利茨曼·爱德华兹 申请(专利权)人: 德州仪器公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 美国德*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 用于 不同 电容 密度 电容器 侧壁 间隔 局部 氧化
【说明书】:

一种集成电路IC(100)包含第一电容器(150a)、第二电容器(150b)及与所述电容器一起配置用于在衬底(102)上的半导体表面层(106)中实现至少一个电路功能的功能电路(180)。所述电容器包含在局部硅氧化LOCOS氧化物(110a、110b)上的顶板(112),其中用于所述第二电容器的所述LOCOS氧化物的厚度比用于所述第一电容器的所述LOCOS氧化物的厚度厚。针对所述第一及第二电容器存在用于所述顶板的接触件(122a)及用于底板的接触件(122b)。

技术领域

本描述涉及具有LOCOS电容器的集成电路。

背景技术

局部硅氧化(LOCOS)是一种半导体制造工艺,其使用图案化氧扩散屏障层,通常是非意在氧化的区域上的氮化硅层,其中在给定厚度的氧扩散屏障层中的蚀刻孔隙中形成热生长的二氧化硅层,其中沿着氧扩散屏障层的边缘形成较薄的锥形氧化硅区。Si-氧化硅界面形成在比硅表面的其余部分更低的点处。一些电容器利用LOCOS氧化物作为其电介质。虽然由LOCOS氧化物所包围的活性区域宽度可改变,但LOCOS像其它氧化物生长过程一样,提供遍及裸片及遍及晶片的单一给定氧化物厚度。

发明内容

提供此发明内容是为了以简化形式介绍所描述概念的简要选择,这些概念将在下面的具体实施方式(包含所提供的附图)中进一步描述。此发明内容并不希望限制所要求的标的物的范围。

所公开的方面包含在包含第一电容器及第二电容器的衬底上的半导体表面层中形成的集成电路(IC)。所述第一及第二电容器包含在LOCOS氧化物上的顶板,且用于所述第二电容器的所述LOCOS氧化物的厚度比用于所述第一电容器的所述LOCOS氧化物的厚度厚。针对所述第一及第二电容器,存在用于所述顶板的接触件及用于底板的接触件。

附图说明

现在将参考附图,所述附图不一定按比例绘制,其中:

图1是根据实例的实例IC的横截面描绘,所述实例IC包含具有不同LOCOS氧化物厚度以提供不同电容密度的第一及第二LOCOS电容器。

图2A到2F是展示根据实例的形成IC的实例方法的处理进展的横截面图,所述IC包含具有不同电容密度的第一及第二平面LOCOS电容器。

图3A到3G是展示根据实例的形成IC的实例方法的处理进展的横截面图,所述IC包含具有不同电容密度的第一及第二沟槽LOCOS电容器。

图4A到4F是展示根据实例的形成IC的另一实例方法的处理进展的横截面图,所述IC具有具有不同电容密度的第一平面LOCOS电容器及第二沟槽LOCOS电容器。

具体实施方式

参考附图描述实例,其中使用相似参考数字来表示相似或等效的元件。所说明的行为或事件的顺序不应被视为限制性的,因为一些行为或事件可能以不同的顺序发生及/或与其它行为或事件同时发生。此外,可能不需要一些所说明的行为或事件来实施根据此描述的方法。

此外,如本文中使用的术语“耦合到”或“与…耦合”(及其类似者)在无进一步限定的情况下旨在描述间接或直接电连接。因此,如果第一装置“耦合”到第二装置,那么所述连接可为通过路径中仅存在寄生现象的直接电连接,或通过经由包含其它装置及连接的中介项目的间接电连接。针对间接耦合,中间项目通常不修改信号的信息,但可调整其电流电平、电压电平及/或功率电平。

所公开的方面认识到,期望能够使用单个掩模电平及单个图案化步骤形成不同电容密度(电容/单位面积)电容器。针对集成到双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺中的一些功率晶体管,这提出一个成本及/或复杂性问题,因为在同一技术中需要多个不同电容密度电容器共存,包含在一些情况下在同一IC产品上。还认识到,一些LOCOS方法与其它氧化工艺一样,具有仅提供单一氧化物厚度的缺点。此描述描述一种LOCOS氧化工艺流程,所述流程利用侧壁间隔件来产生两种或更多种不同的LOCOS氧化物厚度。

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