[发明专利]氮化镓系烧结体和其制造方法在审
| 申请号： | 201980066557.6 | 申请日： | 2019-10-07 |
| 公开（公告）号： | CN112805263A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 召田雅实;仓持豪人;土田裕也 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/58 | 分类号： | C04B35/58;C01B21/06;C04B35/645;C23C14/34;H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于，提供：为低氧量、高强度的大型氮化镓系烧结体和用于得到通过掺杂剂成为n型、或p型半导体的高结晶氮化镓薄膜的低氧量、含掺杂剂的大型氮化镓系烧结体以及其制造方法。提供一种氮化镓系烧结体，其特征在于，氧含量为1原子％以下，平均粒径(D50)为1μm以上且150μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 烧结 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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