[发明专利]氮化镓系烧结体和其制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓系烧结体，其特征在于，氧含量为1原子％以下，平均粒径(D50)为1μm以上且150μm以下。

2.根据权利要求1所述的氮化镓系烧结体，其中，Si、Ge、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd的元素的总杂质含量低于10质量ppm。

3.根据权利要求1或2所述的氮化镓系烧结体，其中，Mg、Si的总杂质含量低于5质量ppm。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的氮化镓系烧结体，其中，Si杂质含量低于1质量ppm。

5.根据权利要求1所述的氮化镓系烧结体，其中，选自由硼、铝、铟组成的组中的1种以上的13族元素的含量为0.001原子％以上且25原子％以下。

6.根据权利要求1或5所述的氮化镓系烧结体，其中，Si、Ge、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd的元素的总杂质含量低于10质量ppm。

7.根据权利要求1、5或6所述的氮化镓系烧结体，其中，Mg、Si的总杂质含量低于5质量ppm。

8.根据权利要求1、5～7中任一项所述的氮化镓系烧结体，其中，Si杂质含量低于1质量ppm。

9.根据权利要求1、5～8中任一项所述的氮化镓系烧结体，其中，烧结体的X射线衍射峰中源自镓金属的峰的最大值为氮化镓峰的最大值的10％以下。

10.根据权利要求1所述的氮化镓系烧结体，其中，选自由Si、Ge、Sn、Pb、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd组成的组中的1种以上的掺杂剂的含量为1质量ppm以上且100000质量ppm以下。

11.根据权利要求1或10所述的氮化镓系烧结体，其中，掺杂剂为选自由Si、Ge、Sn、Pb、Be组成的组中的1种以上。

12.根据权利要求1、10或11所述的氮化镓系烧结体，其中，掺杂剂为选自由Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd组成的组中的1种以上。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的氮化镓系烧结体，其抗弯强度为50MPa以上。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的氮化镓系烧结体，其密度为3.0g/cm³以上且5.4g/cm³以下。

15.一种权利要求1～4、13、14中任一项所述的氮化镓系烧结体的制造方法，其为基于热压法的氮化镓系烧结体的制造方法，所述制造方法中，将氧含量1原子％以下的粉末作为原料，与热压模的加压方向垂直的方向的线热膨胀系数与原料的线膨胀系数之差为15％以内。

16.一种权利要求1、5～9、13、14中任一项所述的氮化镓系烧结体的制造方法，其为基于热压法的氮化镓系烧结体的制造方法，所述制造方法中，将氮化镓粉末和选自由硼、铝、铟组成的组中的1种以上的13族元素粉末作为原料，与热压模的加压方向垂直的方向的线热膨胀系数与原料的线膨胀系数之差为15％以内，所述氮化镓粉末的氧含量为1原子％以下。

17.一种权利要求1、10～14中任一项所述的氮化镓系烧结体的制造方法，其为基于热压法的氮化镓系烧结体的制造方法，所述制造方法中，将氮化镓粉末和掺杂剂源作为原料，与热压模的加压方向垂直的方向的线热膨胀系数与原料的线膨胀系数之差为15％以内，所述氮化镓粉末的氧含量为1原子％以下。