[发明专利]用于半导体衬底的临界尺寸测量的基于深度学习的自适应关注区域有效
| 申请号： | 201980065799.3 | 申请日： | 2019-10-01 |
| 公开（公告）号： | CN112823412B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | A·亚提 | 申请（专利权）人： | 科磊股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 刘丽楠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种计量系统。在一个实施例中，所述系统包含经配置以获取样本的一或多个图像的特性化子系统。在另一实施例中，所述系统包含控制器，其经配置以：从所述特性化子系统接收样本的一或多个训练图像；在所述一或多个训练图像内接收一或多个训练关注区域ROI选择；基于所述一或多个训练图像及所述一或多个训练ROI选择来产生机器学习分类器；从所述特性化子系统接收样本的一或多个产品图像；使用所述机器学习分类器来产生一或多个经分类关注区域；及在所述一或多个经分类关注区域内确定所述样本的一或多个测量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 衬底 临界 尺寸 测量 基于 深度 学习 自适应 关注 区域 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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