[发明专利]GaN基板的切断方法在审
| 申请号： | 201980063202.1 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112752637A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 浅井义之;北市充 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;C30B29/38;C30B33/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 肖茂深 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种GaN基板的切断方法，该GaN基板的切断方法通过使用在外周形成有槽部的刻划轮对GaN基板进行刻划，从而能够在GaN基板形成切断所需的刻划线，且能够在水平方向上不产生不需要的裂缝的情况下沿着该刻划线将GaN基板切断。本发明的GaN基板的切断方法使用在外周形成有槽部(5)的刻划轮(1)将GaN基板切断，该GaN基板的切断方法具有：刻划工序，在刻划工序中，使刻划轮(1)的刀尖(2)相对于GaN基板垂直接触，对刻划轮(1)施加载荷并使该刻划轮(1)滚动，从而形成刻划线(L)；断开工序，在断开工序中，将形成有刻划线(L)的GaN基板切断。 | ||
| 搜索关键词： | gan 切断 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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