[发明专利]GaN基板的切断方法在审
| 申请号： | 201980063202.1 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112752637A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 浅井义之;北市充 | 申请（专利权）人： | 三星钻石工业股份有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;C30B29/38;C30B33/00;H01L21/301 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 肖茂深 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan 切断 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaN基板的切断方法，其使用在外周形成有槽部的刻划轮将GaN基板切断，
所述GaN基板的切断方法的特征在于，具有：
刻划工序，在所述刻划工序中，使所述刻划轮的刀尖相对于所述GaN基板垂直接触，对所述刻划轮施加载荷并使所述刻划轮滚动，从而形成刻划线；以及
断开工序，在所述断开工序中，将形成有所述刻划线的GaN基板切断。
2.根据权利要求1所述的GaN基板的切断方法，其特征在于，
在所述刻划工序中，在所述刻划线的下方不产生垂直裂缝。
3.根据权利要求1或2所述的GaN基板的切断方法，其特征在于，
在所述刻划工序中，将刻划时的载荷设为1.2N以上且6.2N以下。
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