[发明专利]高温RF加热器底座在审
| 申请号： | 201980060581.9 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN112740396A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | S·朴;D·本杰明森;X·王;D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖;张鑫 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了半导体处理系统，所述半导体处理系统可以包括具有基板支撑表面的基板支撑组件。示例性的基板支撑组件可包括限定基板支撑表面的陶瓷加热器。组件可包括接地板，陶瓷加热器安置在接地板上。组件可包括与接地板耦接的杆。组件可包括电极，电极嵌入在陶瓷加热器内距离基板支撑表面的一定深度处。腔室或系统还可包括RF匹配器，RF匹配器被配置成通过杆向电极提供AC电流与RF功率。RF匹配器可沿着杆与基板支撑组件耦接。基板支撑组件和RF匹配器可以在半导体处理系统内垂直平移。 | ||
| 搜索关键词： | 高温 rf 加热器 底座 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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